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北京變溫霍爾效應(yīng)實驗儀

產(chǎn)品簡介

北京變溫霍爾效應(yīng)實驗儀 型號:HT-648 霍爾效應(yīng)的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量,進行半導體導電機制及散射機制的研究,并可確定半導體的一些基本參數(shù),如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。

產(chǎn)品型號:GH/HT-648
更新時間:2024-10-30
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
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產(chǎn)地類別國產(chǎn)

變溫霍爾效應(yīng)實驗儀  霍爾效應(yīng)測定儀

型號:GH/HT-648

北京變溫霍爾效應(yīng)實驗儀 型號:HT-648 霍爾效應(yīng)的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量,進行半導體導電機制及散射機制的研究,并可確定半導體的一些基本參數(shù),如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。 主要技術(shù)指標 1.電磁鐵 0-300mT連續(xù)可調(diào) 2. 勵磁電源 0-5A連續(xù)可調(diào) 可自動換向 穩(wěn)定性﹤±0.1% 3. 數(shù)字特斯拉計 0-2000mT 三位半數(shù)字顯示 分辨率0.001 4. 恒流源輸出 1mA 穩(wěn)定性±0.1% 5. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測量zui小分辨率1uV 6. 溫度變化測量范圍 80-400K 7. 整套儀器由電磁鐵系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)機箱、測量系統(tǒng)主機、恒溫器四部分組成 8. 探頭樣品采用單晶鍺片 
北京變溫霍爾效應(yīng)實驗儀  型號:HT-648 霍爾效應(yīng)的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量,進行半導體導電機制及散射機制的研究,并可確定半導體的一些基本參數(shù),如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。 主要技術(shù)指標 1.電磁鐵 0-300mT連續(xù)可調(diào) 2. 勵磁電源 0-5A連續(xù)可調(diào) 可自動換向 穩(wěn)定性﹤±0.1% 3. 數(shù)字特斯拉計 0-2000mT 三位半數(shù)字顯示 分辨率0.001 4. 恒流源輸出 1mA 穩(wěn)定性±0.1% 5. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測量zui小分辨率1uV 6. 溫度變化測量范圍 80-400K 7. 整套儀器由電磁鐵系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)機箱、測量系統(tǒng)主機、恒溫器四部分組成 8. 探頭樣品采用單晶鍺片 

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