Ti-50Al和Ti-4l-8Nb合金在鋅液中的腐蝕行為，并測量Ti-50Al和Ti-4l-8Nb合金的正電子壽命譜，利用正電子壽命參數(shù)分別計算了合金基體和缺陷態(tài)的自由電子密度。TiAl合金自由電子密度比金屬Ti和金屬Al基體的低，當(dāng)Ti和Al組成TiAl合金時，Ti原子和A1原子的部分價電子被局域化，TiAl合金中金屬鍵和其價鍵共存。TiA1合金晶界缺陷的開空間較大，晶界缺陷處的自由電子密度較低，金屬鍵結(jié)合力較弱。在TiAl合金中加入Nb元素，Ti-4l-8Nb合金基體和晶界的自由電子密度增大，明顯減慢了鋅液對鈦鋁基合金的溶解速度。

　　中圖法分類號：TG收到初稿日期：2006-05-22；收到修改稿日期：2007-03-11基金項目：國家自然科學(xué)基金資助項目（50274005）13Al核外有13個電子，價電子3s23pNb：4d45sZn：3d104s2；由于我們沒有高純金屬Nb的標(biāo)樣，沒法對其特征譜進(jìn)行測量，可參照的結(jié)果。

　　對0和r樣品，從峰的形狀及峰的高度等信息來看，CDB圖主要處在Ti和Al單晶CDB之間，表現(xiàn)為Ti和Al的信息。樣品中由于空位的存在，致使正電子與核芯電子的湮沒幾率降低，峰幅度降低。同時在10.7X10-3W0c處，d電子的峰信息相對Ti明顯向低動量端前移，表明是正電子與核芯電子的湮沒。因為Nb-4d電子相對于電子受原子核的束縛較弱，動量較低，在動量空間更加局域化，導(dǎo)致Nb的4d動量分布相對Ti-3d向低動量方向移動。

　　對2樣品結(jié)合Zn的CDB曲線，說明樣品經(jīng)腐蝕以后，Zn大量聚集的空位缺陷處，與缺陷組成了空位符合體，CDB曲線在大于15X10-3W0c處表現(xiàn)出大量Zn的正電子湮沒信息，由于Zn含有10個3d.2樣品相對于1樣品來說，經(jīng)腐蝕后，缺陷變大變多，從而導(dǎo)致了缺陷處自由電子密度的變小。

　　壽命譜的解譜采用POSITRONFIT程序進(jìn)行三壽命擬合，得到正電子三壽命組分壽命（；）和相應(yīng)的強(qiáng)度（；/3）所得壽命譜擬和結(jié)果，扣除源成分。每條壽命譜的第3組壽命巧及強(qiáng)度/3幾乎均在1.5ns和1%左右，這是正電子在樣品和正電子源表面上湮沒的結(jié)果。在此不考慮樣品表面的因素。將第1組壽命成分及第2組壽命成分的強(qiáng)度按：對正電子壽命重新歸一化，得到下表所示的正電子壽命參數(shù)。以及平均壽命，第2組壽命對應(yīng)正電子在合金樣品中缺陷態(tài)的湮沒。

　　同時根據(jù)兩態(tài)捕獲模型，可計算出正電子在合金基體中的壽命以及湮沒率（4）：第2組分壽命T2是正電子在合金缺陷態(tài)湮沒的壽命，正電子在合金缺陷態(tài)中的湮沒率Xd=1/T2.正電子壽命提供了它被湮沒前所在環(huán)境的電子密度的信息。正電子湮沒率是電子密度的函數(shù)。在一個理想晶體中，熱化后的正電子受到正離子的排斥，在湮沒前，其大部分時間通常處于晶格的間隙位置中，隨后與擴(kuò)展Bloch態(tài)電子湮沒。換句話說，在金屬或合金晶格中，正電子“看到”的主要是自由電子。根的經(jīng)驗公式：=（X-2）/134，利用合金基體和缺陷態(tài)的正電子湮沒率Xb和Xd可分別計算出相應(yīng)的自由電子密度叫和，其中，X的單位為（ns）-1，的單位為原子單位（符號用au表示），對于電子密度，1au=6.755X1030m-3.它們的值分別列于表1.純Ti、純Al、純Nb和純Zn金屬基體中的正電子壽命值、正電子湮沒率和自由電子密度列于表2.由于樣品已經(jīng)過充分退火，大部分的空位、位錯已經(jīng)回復(fù)，樣品中的缺陷主要是晶界和相界，因而T2主要是正電子在樣品晶界或相界中湮沒的壽命。表2中的數(shù)據(jù)表明，所測試合金的r2大于正電子在A1金屬單空位中的壽命值rv（A1）=240ps.正電子在合金缺陷中的壽命隨缺陷的開空間的增大而增長。因此，TiA1合金晶界缺陷的開空間大于金屬A1單空位。TiA1合金晶界缺陷的這種結(jié)構(gòu)特征可能與組成合金的Ti原子和A1原子之間的鍵合狀態(tài)有關(guān)。Ti原子（其電子構(gòu)型為1s22s22p63s23p63d24s2）由于其3d電子的局域性，當(dāng)他和多價元素Al（其電子構(gòu)型為）組成TiA1合金時，合金中的（A1）3p-（Ti）3d的鍵級較大，而且方向性較強(qiáng)，表現(xiàn)出共價鍵的特征。與其他鋁化物金屬間化合物相似，TiA1合金中金屬鍵和共價鍵共存。由于共價鍵的結(jié)合力較強(qiáng)，而且有良好的空間方向性，因而使TiA1合金表現(xiàn)出長程有序的特點(diǎn)，并通常具有較高的有序能。有序能較高的多晶合金，同一晶粒內(nèi)部的原子排列高度有序，晶界處的原子不易發(fā)生弛豫，導(dǎo)致晶界容易形成開空間較大的空洞，并造成晶界處的價電子密度低，正電子在合金晶界缺陷處的壽命較長。

　　表1 0、1、2樣品的正電子壽命譜參數(shù)，基體和缺陷態(tài)的自由電子密度鍵的自由電子密度，參與成鍵的自由電子密度越高，原子間的金屬鍵結(jié)合力越強(qiáng)。本實驗結(jié)果顯示：所有測試合金晶界缺陷處的電子密度（d）均低于合金基體中的電子密度（b）（表2），這表明合金晶界是結(jié)合力弱化的區(qū)域。合金晶界的結(jié)合強(qiáng)度依賴于晶界處的自由電子密度，晶界處的自由電子密度越高，晶界的結(jié)合強(qiáng)度就越強(qiáng)，反之亦然。

　　表2純Ti、Al、Nb和Zn金屬基體中的正電子壽命、正電子湮沒率和自由電子密度由表1和表2可知，TiAl合金基體的自由電子密度比純金屬Ti和純金屬A1基體的低，合金基體中的金屬鍵結(jié)合力較弱；而且，在TiA1合金晶界處存在開空間較大的缺陷，晶界處的電子密度較低，該處的金屬鍵結(jié)合力較弱。在TiA1合金中，通過加入適當(dāng)?shù)腘b，可望改變合金的鍵結(jié)構(gòu)和晶界結(jié)構(gòu)。

　　從表1可以看出，Ti-4l-8Nb合金基體的自由電子密度比Ti-4l合金基體的高。這表明，在TiAl合金中加入8%（摩爾分?jǐn)?shù)）的Nb使合金基體自由電子密度升高。對于Ti-4l-8Nb合金，由于Nb金屬基體的自由電子密度比Ti或Al金屬的高（見表2），Nb無論是替代合金中的Ti還是Al，都將比Ti或Al提供更多的價電子參與形成金屬鍵，使合金基體的自由電子密度升高。

　　和表3是鈦鋁基合金在鋅液中浸泡相同時間后擴(kuò)散層的形貌及相應(yīng)位置的元素含量。從表3可以看出A點(diǎn)的鋅含量比B點(diǎn)高很多。這說明鋅液更容易擴(kuò)散到Ti-50Al合金的晶界和缺陷處。由于在合金中加入Nb，使合金中參與形成金屬鍵的自由電子數(shù)增加，從而降低合金中形成共價鍵的傾向。使電荷分布均勻化并降低合金的有序能，使合金晶界容易馳豫和晶界缺陷的開空間變小；而且，當(dāng)Nb原子擴(kuò)散到晶界，會增加晶界處的自由電子密度，從而進(jìn)一步減慢了鋅液向鈦鋁基合金擴(kuò)散的速度。所以鋅液對Ti-4l-8Nb合金的溶解速度比Ti-50A1合金快。

　　3結(jié)論鋅液對TiAl基合金的腐蝕是溶解腐蝕。鋅液逐漸向合金基體擴(kuò)散，形成的擴(kuò)散層慢慢溶解到鋅液中，如此循環(huán)往復(fù)，直到合金*溶解。鋅液對Ti-50Al和Ti-4l-8Nb合金的溶解速度分別為0.083mm/h和在TiAl合金中加入Nb，使合金中參與形成金屬鍵的自由電子數(shù)增加，從而降低合金中形成共價鍵的傾向。使電荷分布均勻化并降低合金的有序能，使合金晶界容易馳豫和晶界缺陷的開空間變??；而且，當(dāng)Nb原子擴(kuò)散到晶界，會增加晶界處的自由電子密度，進(jìn)而進(jìn)一步減慢鋅液向鈦鋁基合金擴(kuò)散的速度。北京富瑞恒創(chuàng)科技有限公司。